اندازهگیریهای گرافن نشان میدهد که شارهای تلفات انرژی و انسجام کوانتومی تحت کنترل گیت از هم جدا میشوند.
دانشمندان نشان دادهاند که دو شارح (نمای پراکندگی غیرالاستیک و شار dephasing) که معمولا برای توصیف پراکندگی الکترون در گرافن استفاده میشوند، لزوما از یک رفتار پیروی نمیکنند. با استفاده از گرافن اپیتاکسیال دردار، یک تیم چند نهادی از محققان به طور مستقل این دو شارح را از طریق اندازهگیریهای جریان گرمایش و تجزیه و تحلیل مکانیابی ضعیف استخراج کردند. متضاد گیت-ولتاژ…
دانشمندان نشان دادهاند که دو شارح (نمای پراکندگی غیرالاستیک و شار dephasing) که معمولا برای توصیف پراکندگی الکترون در گرافن استفاده میشوند، لزوما از یک رفتار پیروی نمیکنند. با استفاده از گرافن اپیتاکسیال دردار، یک تیم چند نهادی از محققان به طور مستقل این دو شارح را از طریق اندازهگیریهای جریان گرمایش و تجزیه و تحلیل مکانیابی ضعیف استخراج کردند. وابستگی متضاد گیت-ولتاژ شواهدی را ارائه می دهد که آرامش انرژی و از دست دادن انسجام فاز کوانتومی را می توان توسط فرآیندهای میکروسکوپی مختلف کنترل کرد.
متن اصلی (انگلیسی)
Graphene measurements reveal energy-loss and quantum-coherence exponents diverge under gate control
Scientists have shown that the two exponents (inelastic scattering exponent and dephasing exponent) commonly used to describe electron scattering in graphene do not necessarily follow the same behavior. Using gated epitaxial graphene, a multi-institutional team of researchers independently extracted the two exponents through current-heating measurements and weak-localization analysis. The contrasting gate-voltage…