تصحیح نویسنده: رشد اپیتاکسی در مقیاس ویفر نیترید کربن بور نوع p با تحرک بالا
طبیعت، انتشار آنلاین: 14 اکتبر 2026; doi:10.1038/s41586-026-11267-z تصحیح نویسنده: رشد اپیتاکسی در مقیاس ویفر نیترید کربن بور نوع p با تحرک بالا
مقاله اصلی در 30 سپتامبر 2026 منتشر شد
تصحیح به: طبیعت https://doi.org/10.1038/s41586-026-11047-9 انتشار آنلاین 30 سپتامبر 2026
در نسخه مقاله که در ابتدا منتشر شد، برچسب محور y شکل 5d "I d (A μm –1)" بود اما باید "I d (mA μm -1)" بود. این اصلاح در نسخه های HTML و PDF مقاله انجام شده است.
این نویسندگان به طور مساوی مشارکت داشتند: چین-چیه تسنگ، چانگ-هسون هوانگ، جوی-چنگ کائو
گروه مهندسی سیستم شیمی، دانشکده مهندسی، دانشگاه توکیو، توکیو، ژاپن
Chien-Chih Tseng، Jui-Han Fu، Seong Rae Cho، Chenxi Lei، Kai Qi و Vincent Tung
گروه علوم و مهندسی مواد، دانشگاه ملی تایوان، تایپه، تایوان
گروه علوم و مهندسی مواد، دانشگاه ملی یانگ مینگ چیائو تونگ، هسینچو، تایوان
مرکز تحقیقات علوم کاربردی، آکادمی سینیکا، تایپه، تایوان
جوی چنگ کائو، پو یو یانگ و چون وی پائو (包 淳偉)
موسسه نوآوری مهندسی، دانشگاه توکیو، توکیو، ژاپن
مرکز تحقیقات مواد الکترونیکی و نوری، موسسه ملی علوم مواد (NIMS)، تسوکوبا، ژاپن
گروه مهندسی مکانیک و الکترومکانیک، دانشگاه ملی سان یات سن، کائوسیونگ، تایوان
مرکز ملی تحقیقات ابزار دقیق، مؤسسه ملی تحقیقات کاربردی، هسینچو، تایوان
چنگ تانگ پان، وی چون چن، فونگ ژی چن و یو وی لین
مرکز مواد ناهمگن و نوآورانه پس از سیلیکون (CHIP)، دانشگاه چانگ گونگ، تائویوان، تایوان
مرکز فناوری های پایداری و انرژی، دانشگاه چانگ گونگ، تائویوان، تایوان
گروه مهندسی شیمی و مواد، دانشگاه چانگ گونگ، تائویوان، تایوان
گروه مهندسی و علوم سیستم، دانشگاه ملی Tsing Hua، شهر Hsinchu، تایوان
گروه مهندسی مواد، دانشگاه توکیو، توکیو، ژاپن
بخش فیزیک، مرکز ملی علوم نظری، تایپه، تایوان
مکاتبه با جوی هان فو، یی چیا چو، چون وی پائو (包 淳偉) یا وینسنت تونگ.
Tseng، CC.، Huang، CH.، Kao، JC. و همکاران تصحیح نویسنده: رشد اپیتاکسی در مقیاس ویفر نیترید کربن بور نوع p با تحرک بالا. طبیعت (2026). https://doi.org/10.1038/s41586-026-11267-z
DOI : https://doi.org/10.1038/s41586-026-11267-z
هر کسی که پیوند زیر را با او به اشتراک بگذارید، میتواند این محتوا را بخواند:
با عرض پوزش، پیوند قابل اشتراک گذاری در حال حاضر برای این مقاله موجود نیست.
ارائه شده توسط Springer Nature SharedIt ابتکار اشتراک محتوا
متن اصلی (انگلیسی)
Author Correction: Wafer-scale epitaxy growth of high-mobility p-type boron carbon nitride
Nature, Published online: 14 October 2026; doi:10.1038/s41586-026-11267-z Author Correction: Wafer-scale epitaxy growth of high-mobility p-type boron carbon nitride