فیلم نیمه هادی تولید شده در یاقوت کبود رکورد شکاف باند را ثبت کرد
نیمه هادی ها با شکاف باند وسیع تر می توانند راه را برای وسایل الکترونیکی کوچکتر و کارآمدتر که می توانند ولتاژهای بسیار بالاتری را تحمل کنند، هموار کنند، اما هر چه این شکاف بزرگتر شود، کنترل میزان رسانایی الکتریسیته یک ماده سخت تر می شود. اکنون، تیمی به رهبری دارل شلوم در دانشگاه کرنل نشان داده‌اند که افزودن سیلیکون به لایه‌های نازک اکسید گالیم آلومینیوم می‌تواند این کنترل را در شکاف‌های باند وسیع‌تر از هر نوع دیگری دست نخورده نگه دارد.
نیمه هادی ها با شکاف باند وسیع تر می توانند راه را برای وسایل الکترونیکی کوچکتر و کارآمدتر که می توانند ولتاژهای بسیار بالاتری را تحمل کنند، هموار کنند، اما هر چه این شکاف بزرگتر شود، کنترل میزان رسانایی الکتریسیته یک ماده سخت تر می شود. اکنون، تیمی به رهبری دارل شلوم در دانشگاه کرنل نشان داده‌اند که افزودن سیلیکون به لایه‌های نازک اکسید گالیم آلومینیوم می‌تواند این کنترل را در شکاف‌های باند وسیع‌تر از هر نیمه‌رسانای قبلی دست‌نخورده نگه دارد. تحقیقات آنها در Nature منتشر شده است.
متن اصلی (انگلیسی)
Sapphire-grown semiconductor film sets bandgap record
Semiconductors with wider bandgaps could pave the way for smaller, more efficient electronics that can handle far higher voltages, but the wider this gap becomes, the harder it is to control how well a material conducts electricity. Now, a team led by Darrell Schlom at Cornell University has shown that adding silicon to thin films of aluminum gallium oxide can keep this control intact at bandgaps wider than any…