مولکول های خودآرایی با تنظیم کنژوگه برای سلول های خورشیدی پشت سر هم

سلول‌های خورشیدی پشت سر هم پروسکایت/سیلیکون روی لایه‌های بافت ناهموار در حال حاضر توسط یک مبادله حیاتی در طراحی تک‌لایه خود مونتاژ شده (SAM) محدود شده‌اند، زیرا افزایش پیوستگی مولکولی باعث افزایش رسانایی می‌شود اما اغلب منجر به تجمع نامطلوب می‌شود که پوشش هم‌نوع را مختل می‌کند. در اینجا ما با استفاده از یک ترکیب فضایی مولکولی مهندسی شده منطقی که دارای اعوجاج درون مولکولی مناسب برای سرکوب انباشته شدن بیش از حد π-π بدون به خطر انداختن راندمان حمل و نقل بار است، بر این چالش غلبه می‌کنیم.

این تنظیم فضایی تشکیل یک SAM بسیار منظم و منسجم را در سراسر بافت‌های هرمی خشن تسهیل می‌کند. با تطبیق بسته بندی مولکولی با پوشش سطحی، رابط سفارشی تراز بهینه سطح انرژی را برای استخراج بار فوق سریع فراهم می کند، غیرفعال سازی نقص را از طریق تنظیم ساختاری تطبیقی ​​امکان پذیر می کند و به عنوان یک الگوی قوی برای رشد فیلم پروسکایت با کیفیت بالا عمل می کند.

با استفاده از این رابط، دستگاه پشت سر هم بهینه شده به ضریب پر شدن قابل توجه (FF) 85% دست می یابد که بازده تبدیل توان تثبیت شده (PCE) تایید شده 35.1٪ را به دست می آورد. علاوه بر این، دستگاه پایداری فوق‌العاده‌ای را نشان می‌دهد و بیش از 94 درصد از عملکرد اولیه خود را پس از 1500 ساعت پیری تحت پروتکل ISOS-L-1 حفظ می‌کند. یافته‌های ما یک مسیر مهندسی مولکولی روشن را برای تطبیق رسانایی و یکنواختی فیلم در حالی که عملکرد فتوولتائیک‌های پشت سر هم بر روی بسترهای سیلیکونی بافتی را به حداکثر می‌رساند، ارائه می‌کند.

این یک پیش نمایش از محتوای اشتراک است که از طریق موسسه شما دسترسی دارد

به Nature و 54 مجله Nature Portfolio دیگر دسترسی داشته باشید

Nature+ را دریافت کنید، بهترین اشتراک دسترسی آنلاین ما

قیمت‌ها ممکن است مشمول مالیات‌های محلی باشد که در هنگام تسویه حساب محاسبه می‌شود

همه داده ها در متن اصلی یا اطلاعات تکمیلی موجود است. داده‌هایی که از یافته‌های این مطالعه پشتیبانی می‌کنند در صورت درخواست از نویسندگان مربوطه در دسترس هستند.

جیا، ال و همکاران پشت سر هم پروسکیت/سیلیکون کارآمد با مولکول خودآرایی نامتقارن. Nature 644، 912–919 https://doi.org/10.1038/s41586-025-09333-z (2025).

وو، دبلیو و همکاران مولکولهای دی رادیکال آلی خودآرایی پایدار و یکنواخت برای فتوولتائیک پروسکایت. Science 389، 195-199 https://doi.org/10.1126/science.adv4551 (2025).

گرین، M. A. و همکاران. جداول بازده سلول خورشیدی (نسخه 67). Prog. فتوولتائیک Res. Appl. 34، 482–496 https://doi.org/10.1002/pip.70068 (2026).

لیو، جی و همکاران. سلول های خورشیدی پشت سر هم پروسکایت/سیلیکون با غیرفعال سازی رابط دولایه. Nature 635، 596–603 https://doi.org/10.1038/s41586-024-07997-7 (2024).

اوگور، ای. و همکاران. برهمکنش کاتیونی پیشرفته در پروسکایت ها برای سلول های خورشیدی پشت سر هم کارآمد با سیلیکون. Science 385، 533-538 https://doi.org/10.1126/science.adp1621 (2024).

آیدین، ای و همکاران. کوپلینگ اپتوالکترونیکی پیشرفته برای سلول های خورشیدی پشت سر هم پروسکایت/سیلیکون. Nature 623، 732–738 https://doi.org/10.1038/s41586-023-06667-4 (2023).

ماریوتی، اس و همکاران. مهندسی رابط برای سلول های خورشیدی پشت سر هم پروسکایت-سیلیکون با کارایی بالا و سه هالید. Science 381، 63-69 https://doi.org/10.1126/science.adf5872 (2023).

چین، X. Y. و همکاران. غیرفعال سازی رابط برای سلول های خورشیدی 31.25٪ کارآمد پروسکیت/سیلیکون پشت سر هم. Science 381، 59-63 https://doi.org/10.1126/science.adg0091 (2023).

لی، ان و همکاران پارتیشن بندی بخار پروسکایت بهینه بر روی سیلیکون بافت برای سلول های خورشیدی پشت سر هم با پایداری بالا. Science 390, eadz3698 https://doi.org/10.1126/science.adz3698 (2026).

Chen, Y. و همکاران. مهندسی هسته برای توزیع یکنواخت هالید در سلول های خورشیدی پشت سر هم پروسکیت/سیلیکون پایدار. Science 385، 554-560 https://doi.org/10.1126/science.ado9104 (2024).

فی، سی و همکاران محدود کردن واکنش‌پذیری بین لایه‌ای اسید فسفونیک – پروسکایت برای تثبیت ماژول‌های خورشیدی پروسکایت. Science 391, eadz7969 https://doi.org/10.1126/science.adz7969 (2026).

لیو، اس و همکاران. هیبرید مولکولی رابط مدفون برای سلول های خورشیدی پروسکایت معکوس. طبیعت 632، 536–542 https://doi.org/10.1038/s41586-024-07723-3 (2024).

لیانگ، ی و همکاران یک لایه مولکولی محصور در ماتریس برای ماژول های فتوولتائیک پروسکایت. طبیعت 648، 91–96 https://doi.org/10.1038/s41586-025-09785-3 (2025).

جیانگ، دبلیو و همکاران تک لایه های خود مونتاژ شده برای سلول های خورشیدی پروسکایت بادوام. طبیعت 646، 95–101 https://doi.org/10.1038/s41586-025-09509-7 (2025).

لو، سی و همکاران. سایت های اتصال مهندسی تک لایه خود مونتاژ شده یکنواخت و مستحکم را برای سلول های خورشیدی پروسکایت پایدار ممکن می کند. نات ماتر 24، 1265–1272 https://doi.org/10.1038/s41563-025-02275-x (2025).

فی، سی و همکاران لایه‌های حمل و نقل سوراخ با پیوند قوی، تخریب سلول‌های خورشیدی پروسکایتی با اشعه ماوراء بنفش را کاهش می‌دهند. Science 384، 1126-1134 https://doi.org/10.1126/science.adi4531 (2024).

Guo, C. et al. رابط های تک لایه خود مونتاژ شده دو وجهی برای به حداقل رساندن تلفات نوترکیب و افزایش پایداری در سلول های خورشیدی پشت سر هم پروسکایت/سیلیکون. Adv. ماتر 37 ، 2504520 https://doi.org/10.1002/adma.202504520 (2025).

فنگ، ی و همکاران مولکول های خودآرایی هموژن برای سلول های خورشیدی پروسکایت معکوس. آنژو. شیمی. بین المللی اد. 64, e202505876 https://doi.org/10.1002/anie.202505876 (2025).

او، R. و همکاران. بهبود کیفیت رابط برای سلول های خورشیدی پشت سر هم تمام پروسکایت 1 سانتی متری 2. Nature 618، 80–86 https://doi.org/10.1038/s41586-023-05992-y (2023).

ژو، جی و همکاران. تماس‌های مولکولی با اسکلت π متعامد باعث ایجاد آمورفیزاسیون برای افزایش عملکرد سلول خورشیدی پروسکایت می‌شود. نات شیمی. 17، 564–570 https://doi.org/10.1038/s41557-025-01732-z (2025).

ژائو، ک. و همکاران. کنتاکت های مولکولی پلی آروماتیک اطراف ذوب شده برای سلول های خورشیدی پروسکایت. Nature 632، 301–306 https://doi.org/10.1038/s41586-024-07712-6 (2024).

وانگ، ایکس و همکاران. تنظیم همگنی فاز توسط مولکول های خودآرایی برای افزایش کارایی و پایداری سلول های خورشیدی پروسکایت معکوس. نات Photonics 18، 1269-1275 https://doi.org/10.1038/s41566-024-01531-x (2024).

پارک، اس ام و همکاران کنتاکت های کم تلفات روی بسترهای بافت دار برای سلول های خورشیدی پروسکایت معکوس. Nature 624، 289–294 https://doi.org/10.1038/s41586-023-06745-7 (2023).

گنگ، سی و همکاران. دو ترمینال پروسکایت/Cu(In,Ga)Se 2 با روکش های منسجم بر اساس سلول های کف تجاری با راندمان بیش از 26 درصد. محیط انرژی علمی 18، 8907–8917 https://doi.org/10.1039/D5EE03339J (2025).

Zhang، Y. و همکاران. یک استراتژی پل مولکولی کونژوگه π برای ساخت مسیرهای انتقال سوراخ کارآمد در سلول‌های خورشیدی پروسکایت معکوس. آنژو. شیمی. بین المللی اد. 64 ، e202514640 https://doi.org/10.1002/anie.202514640 (2025).

دو، جی و همکاران. مولکول‌های خود مونتاژ شده رو به روی با انباشته شدن π-π تقویت‌شده برای سلول‌های خورشیدی پروسکایت معکوس بسیار کارآمد بر روی بسترهای ناهموار FTO. محیط انرژی علمی 18، 3196–3210 https://doi.org/10.1039/D4EE05849F (2025).

ژو، پی و همکاران. مهندسی مبتنی بر تقارن مولکول‌های انباشته‌شده π-π با برد بلند برای فتوولتائیک‌های پروسکایتی با راندمان بالا. نات مصنوعی. 5، 64–73 https://doi.org/10.1038/s44160-025-00896-3 (2026).

چانگ، ی و همکاران. تک‌لایه‌های هم‌مونتاژ بسیار جهت‌دار و سفارشی برای سلول‌های خورشیدی پروسکایت معکوس. آنژو. شیمی. بین المللی اد. 64, e202418883 https://doi.org/10.1002/anie.202418883 (2025).

ژانگ، دی و همکاران. کنترل تبلور پروسکایت از طریق یک تک لایه خود مونتاژ شده مهندسی شده در سلول های خورشیدی پشت سر هم پروسکایت-سیلیکون. نات Photonics 20، 40-48 https://doi.org/10.1038/s41566-025-01778-y (2026).

Xiong، S. و همکاران. جداسازی توابع کار سطح پروسکایت و جبران انرژی استخراج الکترون برای افزایش راندمان فتوولتائیک بالا. علمی گاو نر 70، 1968–1975 https://doi.org/10.1016/j.scib.2025.03.034 (2025).

گوتیرز-پارتیدا، ای. و همکاران. به سوی درک میدان داخلی در سلول های خورشیدی پروسکایت از طریق اندازه گیری لایه به لایه سطح فوتوولتاژ. ACS Appl. ماتر رابط‌های 17، 11176–11186 https://doi.org/10.1021/acsami.4c14194 (2025).

مقاله CAS PubMed PubMed Central Google Scholar

واربی، جی و همکاران. عدم تطابق تقسیم سطح شبه فرمی و V oc در سلول های خورشیدی پروسکایت. Adv. ماده انرژی. 13، 2303135 https://doi.org/10.1002/aenm.202303135 (2023).

لیو، جی و همکاران. سلول های خورشیدی پشت سر هم پروسکایت-سیلیکون کارآمد و پایدار از طریق جابجایی تماس توسط MgF x. علوم 377، 302-306 https://doi.org/10.1126/science.abn8910 (2022).

Xu, F. et al. فازهای پروسکایت تثبیت شده که سلول های خورشیدی سه اتصالی پروسکایت / پروسکایت / سیلیکونی کارآمد را ممکن می کند. نات ماتر 25، 259–266 https://doi.org/10.1038/s41563-025-02367-8 (2026).

ار-راجی، او و همکاران. تجمع الکترون در سراسر لایه پروسکایت سلول های خورشیدی پشت سر هم با سیلیکون بافت را افزایش می دهد. Science 390, eadx1745 https://doi.org/10.1126/science.adx1745 (2025).

Ye, F. et al. به حداقل رساندن نوترکیبی در رابط پروسکایت/C 60 از طریق یک لایه بین لایه مولکولی بسیار متراکم فرار. ACS Energy Lett. 10، 2942–2951 https://doi.org/10.1021/acsenergylett.5c00615 (2025).

Thiesbrummel, J. et al. غربالگری میدانی ناشی از یون به عنوان یک عامل غالب در پایداری عملیاتی سلول خورشیدی پروسکایت نات انرژی 9، 664–676 https://doi.org/10.1038/s41560-024-01487-w (2024).

Thiesbrummel, J. et al. تلفات جریان جهانی در سلول های خورشیدی پروسکایت به دلیل یون های متحرک Adv. ماده انرژی. 11، 2101447 https://doi.org/10.1002/aenm.202101447 (2021).

کالاساریا، ن. و همکاران. چگونه تفکیک هالید بر تکامل چگالی یون و تلفات عملکرد یونی حاکم است: از تخریب تا بازیابی. Adv. ماده انرژی. 16، e03866 https://doi.org/10.1002/aenm.202503866 (2026).

دیتلم، ام. و همکاران. بررسی هدایت یونی و غربالگری میدان الکتریکی در سلول های خورشیدی پروسکایت: یک اکتشاف جدید از طریق جریان های رانش یون محیط انرژی علمی 18، 1385–1397 https://doi.org/10.1039/D4EE02494J (2025).

Siefer, G., Baur, C. & Bett, A. W. اندازه‌گیری‌های بازده کوانتومی خارجی زیرسلول‌های پایین ژرمانیوم: مصنوعات اندازه‌گیری و روش‌های اصلاح. در Proc. 2010 سی و پنجمین کنفرانس متخصصان فتوولتائیک IEEE 704–707 https://doi.org/10.1109/PVSC.2010.5616919 (IEEE، 2010).

Steiner، M. A. و همکاران. اندازه‌گیری منحنی‌های IV و جریان‌های نوری زیر سلولی در حضور جفت‌های شب تاب. IEEE J. فتوولت. 3، 879–887 https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2012.2228298 (2013).

Lu, T. & Chen, F. Multiwfn: یک تحلیلگر چند منظوره تابع موج. جی. کامپیوتر. شیمی. 33، 580–592 https://doi.org/10.1002/jcc.22885 (2012).

Neese, F. به روز رسانی نرم افزار: سیستم برنامه ORCA-نسخه 5.0. وایلی اینتردیسیپ. ریور کامپیوتر. مول. علمی 12، e1606 https://doi.org/10.1002/wcms.1606 (2022).

Kresse، G. & Hafner، J. Ab دینامیک مولکولی اولیه برای فلزات مایع. فیزیک Rev. B 47, 558–561 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.47.558 (1993).

Kresse، G. & Hafner، J. Ab در ابتدا شبیه‌سازی دینامیک مولکولی انتقال مایع-فلز-آمورف-نیمه رسانا در ژرمانیوم. فیزیک Rev. B 49, 14251–14269 https://doi.org/10.1103/PhysRevB.49.14251 (1994).

تامپسون، A. P. و همکاران. LAMMPS - یک ابزار شبیه‌سازی انعطاف‌پذیر برای مدل‌سازی مواد مبتنی بر ذرات در مقیاس‌های اتمی، مزو و پیوسته. محاسبه کنید. فیزیک اشتراک. 271، 108171 https://doi.org/10.1016/j.cpc.2021.108171 (2022).

Dodda، L. S.، Cabeza de Vaca، I.، Tirado-Rives، J. & Jorgensen، W. L. LigParGen وب سرور: یک ژنراتور پارامتر خودکار OPLS-AA برای لیگاندهای آلی. Nucleic Acids Res. 45، W331–W336 https://doi.org/10.1093/nar/gkx312 (2017).

ملتزر، سی و همکاران. مکانیسم های فرورفتگی و خود ترمیمی یک تک لایه خود مونتاژ شده - یک مطالعه تجربی و مدل سازی ترکیبی J. Am. شیمی. Soc. 136، 10718–10727 https://doi.org/10.1021/ja5048076 (2014).

لی، دی و همکاران تک لایه خود مونتاژ شده هم جذب سلول های خورشیدی پروسکایت و ارگانیک را قادر می سازد. نات اشتراک. 15، 7605 https://doi.org/10.1038/s41467-024-51760-5 (2024).

مقاله ADS CAS PubMed PubMed Central Google Scholar

Lorenzoni، A.، Mosca Conte، A.، Pecchia، A. & Mercuri، F. مورفولوژی در مقیاس نانو و جفت الکترونیکی در سطح مشترک بین اکسید قلع ایندیم و مواد مولکولی آلی. مقیاس نانو 10، 9376–9385 https://doi.org/10.1039/c8nr02341g (2018).

Rappe، A. K.، Casewit، C. J.، Colwell، K. S.، Goddard، W. A. ​​III & Skiff، W. M. UFF، یک میدان نیروی جدول تناوبی کامل برای شبیه‌سازی‌های مکانیک مولکولی و دینامیک مولکولی. J. Am. شیمی. Soc. 114، 10024–10035 https://doi.org/10.1021/ja00051a040 (1992).

Martínez, L., Andrade, R., Birgin, E. G. & Martínez, J. M. PACKMOL: بسته ای برای ساخت پیکربندی های اولیه برای شبیه سازی دینامیک مولکولی. جی. کامپیوتر. شیمی. 30، 2157–2164 https://doi.org/10.1002/jcc.21224 (2009).

استوکوفسکی، الف. تجسم و تجزیه و تحلیل داده های شبیه سازی اتمی با OVITO – ابزار تجسم باز. مدل. شبیه سازی ماتر علمی مهندس 18، 015012 https://doi.org/10.1088/0965-0393/18/1/015012 (2010).

نایت، A. J. و هرز، L. M. جلوگیری از جداسازی فاز در پروسکایت های مخلوط هالید: یک دیدگاه. محیط انرژی علمی 13، 2024–2046 https://doi.org/10.1039/d0ee00788a (2020).

ما با سپاسگزاری از حمایت مالی مرکز مشترک تحقیق و توسعه آزمایشگاه ملی سوژو، شرکت Kunshan GCL Optoelectronic Materials Co., Ltd. و دانشگاه سوچو و حمایت مالی دانشگاه چینی هنگ کنگ (CHUK) از طریق طرح پروفسور شغلی اولیه معاون معاونت دانشگاه، قدردانی می کنیم. مایلیم از مرکز تست ابزار عمومی کالج انرژی دانشگاه سوچو برای ارائه تست های مختلف تشکر کنیم.

این کار توسط برنامه تحقیق و توسعه کلید ملی چین (2024YFB3817305)، بنیاد ملی علوم طبیعی چین (شماره‌های 62474122، U24A2063، 62422512، 52603357)، برنامه تحقیقاتی پایه استان جیانگ سو B24K، (شماره‌های. BK20243031)، برنامه نوآوری و کارآفرینی استان جیانگ سو (JSSCTD20250040)، برنامه استعدادهای پیشرو در نوآوری و کارآفرینی Gusu (ZXL2024389)، پروژه سوژو کلیدی سوژو، پروژه علوم پستی علوم مرکزی سوژو (SYG2024) (2025M783419)، برنامه ملی تحقیقات پسا دکتری با بودجه

(GZC20252194)، برنامه تعالی پسا دکتری استان جیانگ سو (2025ZB555)، پروژه ویژه برای ادغام «دو زنجیره» در استان شانشی (2023-LL-QY-16)، برنامه تحقیقاتی پایه علوم طبیعی Shaanxi (2026NJC-16Y و برنامه تحقیقاتی کلیدی N16Y) (2025Z232)، شورای کمک هزینه های تحقیقاتی منطقه اداری ویژه هنگ کنگ (SAR)، چین (شماره پروژه PolyU 25300823، PolyU 15300724)، پروژه تحقیقات علمی و توسعه فناوری شرکت ملی نفت چین (با شماره کمک مالی

2024ZG50)، پروژه ویژه علم و فناوری جوانان شرکت ملی نفت چین (با شماره کمک مالی 2026DQ03039)، شورای کمک هزینه های تحقیقاتی (RGC) تحت طرح تحقیقات مشترک NSCF/RGC (N_CUHK414/24)، صندوق تحقیقات مشارکتی جوان و صندوق تحقیقات مشارکتی جوان (C450) (R1001-24F). این تحقیق بیشتر توسط پروژه RNE-p4-25 از موسسه مهندسی پیشرفته Shun Hing، دانشگاه چینی هنگ کنگ پشتیبانی می شود.

این نویسندگان به طور مساوی کمک کردند: ژنگ فانگ، ژیجی رائو، چونگتائو لیو، لی دینگ، آنکی لو.

کالج انرژی، آزمایشگاه کلیدی جیانگسو فناوری‌های کربن منفی پیشرفته، دانشگاه سوچو، سوژو، چین

ژنگ فانگ، ژیجی رائو، لی دینگ، چینگشوی ژنگ، هویمین ژانگ، یو یین، لوکسین لو، هونگبو مو و جیانگ لیو

موسسه نانو و مواد نرم کاربردی (FUNSOM)، آزمایشگاه کلیدی جیانگسو فناوری‌های کربن منفی پیشرفته، دانشگاه سوچو، سوژو، چین

آزمایشگاه کلید ایالتی الکترونیک انعطاف پذیر (LoFE) و دانشکده الکترونیک انعطاف پذیر (SoFE)، دانشگاه پلی تکنیک شمال غربی (NPU)، شیان، چین

گروه فیزیک و مواد، دانشگاه پلی تکنیک هنگ کنگ، هنگ کنگ SAR، چین

موسسه تحقیق و توسعه مرکزی LONGi، شرکت فناوری انرژی سبز LONGi، شیان، چین

یوان کین، فو ژانگ، یونگ‌کای هه، شی‌شیانگ ژو و بو هه

آزمایشگاه کلید دولتی تجهیزات نفت و گاز، موسسه تحقیقاتی محصولات لوله‌ای CNPC، شیان، چین

مرکز انرژی‌های تجدیدپذیر و فناوری‌های ذخیره‌سازی (CREST)، دانشگاه علم و فناوری ملک عبدالله (KAUST)، ثوال، پادشاهی عربستان سعودی

ولادیسلاو هناپوفسکی، فوزونگ خو و استفان دی ولف

گروه مهندسی الکترونیک، دانشگاه چینی هنگ کنگ، هنگ کنگ SAR، چین

موسسه مهندسی پیشرفته Shun Hing، دانشگاه چینی هنگ کنگ، هنگ کنگ SAR، چین

آزمایشگاه کلیدی دولتی برای رفتار مکانیکی مواد، دانشگاه شیان جیائوتنگ، شیان، چین

مفهوم سازی: Z.F.، Z.R.، L.D.، L.J. و J.L. ساخت و بهینه سازی سلول های خورشیدی پشت سر هم پروسکایت/سیلیکون: Z.F.، Z.R.، L.D.، Y.Q.، Q.Z.، H.Z.، Y.Y.، H.M.، L.Z و J.L. ساخت و بهینه سازی سلول های پایین سیلیکونی: B.H., F.Z. و ی.ح. سنتز مواد SAM را انجام داد: K.W.، J.X. و C.L. محاسبات DFT را انجام داد: J.Y. و A.L. اندازه گیری های XPS/UPS و C-AFM/KPFM را انجام دادند: Z.R.، Q.Z. و Y.Y. اندازه گیری های نقشه برداری PL/TRPL/PLQY و PL را انجام داد: Z.R.، L.D.، J.X. و Y.Y. اندازه‌گیری‌های تصویربرداری فراطیفی را انجام داد: F.X.، V.H. و S.D.W.

اندازه گیری هیسترزیس سریع و BACE را انجام داد: T.L.، Z.L. و م.س. اندازه گیری های پایداری را انجام داد: Z.R., L.D. و ق.ز. جذب سرمایه: J.L.، Z.F.، B.H.، X.Z.، X.X. و L.J. Writing – پیش نویس اصلی: J.L., Z.F. و ز.ر. نگارش – بررسی و ویرایش: J.L.، Z.F.، Z.R.، L.D.، K.W.، J.X.، L.J. و X.Z.

مکاتبه با لانگ جیانگ، بو هه، جون یین، کای وانگ، جیانگ لیو یا شیائوونگ ژانگ.

Y.Q.، F.Z.، Y.H.، X.X. و ب.ح. کارمندان شرکت LONGi هستند. همه نویسندگان دیگر هیچ منافع رقیبی را اعلام نمی کنند.

طبیعت از لوئیجی آنجلو کاستریوتا و دیگر منتقدان ناشناس برای مشارکت در بررسی همتایان این اثر تشکر می‌کند. گزارش های بازبین همتا در دسترس است.

یادداشت ناشر Springer Nature با توجه به ادعاهای قضایی در نقشه های منتشر شده و وابستگی های سازمانی بی طرف باقی می ماند.

محاسبات DFT در سطح GGA/PBE + vdW انجام شد.

محاسبات DFT در سطح DLPNO-CCSD(T)/def2-SVP سطح بالا انجام شد.

اندازه گیری های DLS نمایه های توزیع اندازه سنگدانه ها را در پنج راه حل SAM نشان می دهد.

نتایج در زمان های مختلف شبیه سازی ارائه شده است.

پوشش سطحی SAM روی بستر In 2 O 3 به عنوان تابعی از زمان شبیه سازی رسم می شود.

a، طیف O 1s و برازش پیک سطح ITO پوشش داده شده با 4PACz قبل و بعد از شستشو. ب، نقشه های توزیع جریان به دست آمده توسط C-AFM برای نمونه های 4PACz پس از شستشو.

توزیع طول موج PL فیلم های پروسکایت بر اساس SAM های مختلف پس از روشنایی مداوم 2 خورشید به مدت 72 ساعت (5 میکرومتر × 5 میکرومتر) نشان داده شد.

این فایل اطلاعات تکمیلی شامل: متن تکمیلی; انجیر تکمیلی 1-43; جداول تکمیلی 1 و 2; و مراجع تکمیلی

Springer Nature یا مجوز دهنده آن (به عنوان مثال یک انجمن یا شریک دیگر) حقوق انحصاری این مقاله را تحت توافقنامه انتشار با نویسنده(ها) یا سایر دارندگان حقوق دارند. آرشیو خود نویسنده نسخه خطی پذیرفته شده این مقاله صرفا تحت شرایط چنین توافق نامه انتشار و قوانین قابل اجرا است.

Fang, Z., Rao, Z., Liu, C. et al. مولکول های خودآرایی با تنظیم کنژوگه برای سلول های خورشیدی پشت سر هم. طبیعت (2026). https://doi.org/10.1038/s41586-026-11226-8

DOI: https://doi.org/10.1038/s41586-026-11226-8

هر کسی که پیوند زیر را با او به اشتراک بگذارید، می‌تواند این محتوا را بخواند:

با عرض پوزش، پیوند قابل اشتراک گذاری در حال حاضر برای این مقاله موجود نیست.

ارائه شده توسط Springer Nature SharedIt ابتکار اشتراک محتوا