نحوه کنترل محل شروع رشد کریستال های نیمه هادی
طبیعت، انتشار آنلاین: 07 اکتبر 2026; doi:10.1038/d41586-026-02934-2 بلورهای نیمه هادی از هسته های کوچک رشد می کنند، اما کنترل دقیق موقعیت این هسته ها دشوار است و می تواند بر خواص کریستال تأثیر بگذارد. اکنون رویکردی با استفاده از «شار اچینگ» ایجاد شده است که موقعیت شکل‌گیری هسته را محدود می‌کند و رشد قابل برنامه‌ریزی فضایی کریستال‌های بزرگ منفرد را امکان‌پذیر می‌سازد.
طبیعت، انتشار آنلاین: 07 اکتبر 2026; doi:10.1038/d41586-026-02934-2 بلورهای نیمه هادی از هسته های کوچک رشد می کنند، اما کنترل دقیق موقعیت این هسته ها دشوار است و می تواند بر خواص کریستال تأثیر بگذارد. اکنون رویکردی با استفاده از "شار اچینگ" ایجاد شده است که موقعیت شکل گیری هسته را محدود می کند و رشد قابل برنامه ریزی فضایی تک بلورهای بزرگ مواد نیمه هادی را امکان پذیر می کند.
متن اصلی (انگلیسی)
How to control where semiconductor crystals start growing
Nature, Published online: 07 October 2026; doi:10.1038/d41586-026-02934-2 Semiconductor crystals grow from tiny nuclei, but the position of these nuclei is difficult to control precisely and can affect the crystal’s properties. An approach using ‘etching flux’ has now been developed that constrains the position at which a nucleus forms, enabling spatially programmable growth of large single crystals of…