نیمه هادی نیترید جدید گزینه های مواد را برای الکترونیک قدرتمندتر گسترش می دهد
نیمه هادی های نیترید وورتزیت قطبی، مانند نیترید آلومینیوم (AlN) و نیترید گالیم (GaN)، به دلیل شکاف های باند گسترده، میدان های الکتریکی شکسته بالا، و قطبش خود به خود و پیزوالکتریک قوی، در دستگاه های الکترونیکی مدرن با توان بالا و فرکانس بسیار مهم هستند.
خواندن متن کامل در فیزیکارگبه زبان اصلی، در سایت ناشر باز میشودمتن اصلی (انگلیسی)
New nitride semiconductor expands material options for more powerful electronics
Polar wurtzite nitride semiconductors, such as aluminum nitride (AlN) and gallium nitride (GaN), are central to modern high-power and high-frequency electronic devices because of their wide band gaps, high breakdown electric fields, and strong spontaneous and piezoelectric polarization.