نیمه هادی ها به داخل قلمرو عایق رانده شدند

نیمه هادی ها موادی هستند که رسانایی الکتریکی بین رسانا و عایق دارند. آنها در فناوری مدرن همه جا حاضر هستند و جریان کنترل شده الکتریسیته را در همه چیز از سلول های خورشیدی گرفته تا تلفن های هوشمند امکان پذیر می کنند. خصوصیات یک نیمه هادی تا حدی توسط شکاف باند الکترونیکی آن - انرژی مورد نیاز برای ارتقای یک الکترون به حالت رسانا - کنترل می شود. نیمه هادی هایی با شکاف باند بزرگ برای دستگاه های الکترونیکی که باید در ولتاژ بالا یا دمای بالا کار کنند، جستجو می شوند، اما تولید چنین موادی دشوار بوده است.

نوشتن در طبیعت، استیل و همکاران. 1 گزارش یک نیمه هادی با بزرگترین فاصله باند ثبت شده تاکنون، که بیش از 7 الکترون ولت (eV) است. این نمایش نیمه هادی ها را به رژیمی سوق می دهد که مدت هاست برای عایق ها در نظر گرفته شده است.

به Nature و 54 مجله Nature Portfolio دیگر دسترسی داشته باشید

Nature+ را دریافت کنید، بهترین اشتراک دسترسی آنلاین ما

قیمت‌ها ممکن است مشمول مالیات‌های محلی باشد که در هنگام تسویه حساب محاسبه می‌شود

doi: https://doi.org/10.1038/d41586-026-02968-6

استیل، جی و همکاران. طبیعت https://doi.org/10.1038/s41586-026-11085-3 (2026).

Fujita، S.، Oda، M.، Kaneko، K. & Hitora، T. Jpn. J. Appl. فیزیک 55 , 1202A3 (2016).

جینو، آر و همکاران. علمی Adv. 7, eabd5891 (2021).

Okumura، H. & Varley، J. B. Jpn. J. Appl. فیزیک 63, 075502 (2024).

استیل، جی و همکاران. APL Mater. 12, 041113 (2024).

پلز، G. P. J. Nucl. ماتر 184، 177-182 (1991).

Okumura، H.، Jinno، R.، Uedono، A. & Imura، M. Jpn. J. Appl. فیزیک 60 , 106502 (2021).

Dang، G. T.، Tagashira، Y.، Yasuoka، T.، Liu، L. & Kawaharamura، T. AIP Adv. 10, 115019 (2020).

Ogawa، K. و همکاران. Appl. فیزیک Express 17 , 121001 (2024).

Kaneko، K. و همکاران. Appl. فیزیک Lett. 118، 102104 (2021).

مقاله را بخوانید: یک نیمه هادی باند گپ 7-eV مبتنی بر α-(AlxGa1-x)2O3 دوپ شده با سیلیکون

سلول های خورشیدی سه طبقه به نقطه عطف بازدهی می رسند

خیاطی گرافن برای الکترونیک فراتر از سیلیکون

رشد اپیتاکسی در مقیاس ویفر نیترید کربن بور نوع p با تحرک بالا

شبکه های شش ضلعی کدگذاری شده با توالی در نانوفیبریل های پپتیدی چند کاناله

شکاف باند مستقیم ناشی از انباشته شدن در دو لایه 1H MoS2 رشد یافته با CVD

فازهای غیرعادی فلز و ابررسانا در گرافن لوزی

اثر حافظه ابررسانا قابل کنترل الکتریکی در UTe2

پارامتر ترتیب آلترمغناطیسی موج g با تفکیک سه بعدی در CrSb

برای پیشبرد تحقیقات با مزایای رقابتی به تیم دانشکده جهانی HZAU بپیوندید.

دپارتمان علوم زیستی به دنبال یک فرد ممتاز برای یک مقام هیئت علمی با رتبه باز در زیست شناسی نظری است.

گروه علوم زیستی دانشگاه واندربیلت

علمی بسازید که آینده سلامت انسان را شکل می دهد. تاریخ بسته شدن درخواست: 08 نوامبر 2026 به مکانی بپیوندید که علم جاه طلبانه در آن رشد می کند...

دانشگاه هنگ کنگ ما به دنبال یک استاد کار با انگیزه / دانشیار / استادیار برای پیوستن به بخش دانشگاه ما هستیم

دانشگاه عادی آنهویی صمیمانه از محققان و دانشگاهیان برجسته در سراسر جهان دعوت می کند تا به دانشکده خود بپیوندند.