هستهبندی قطعی فضایی نیمههادیهای دوبعدی با شار اچینگ
طبیعت، انتشار آنلاین: 07 اکتبر 2026; doi:10.1038/s41586-026-11095-1 هستهسازی تکمرکزی با واسطهی شار اچینگ نیمهرساناهای دوبعدی برای بومیسازی قطعی یک رویداد هستهزایی استفاده میشود، و رسوب نیمهرسانا را از کنترل محل رشد مواد تا کنترل محل و چگونگی تشکیل شدن گسترش میدهد.
طبیعت، انتشار آنلاین: 07 اکتبر 2026; doi:10.1038/s41586-026-11095-1 هستهسازی تکمرکزی با واسطهی حکاکی شار نیمهرساناهای دوبعدی برای بومیسازی قطعی یک رویداد هستهزایی استفاده میشود، و رسوب نیمهرسانا را از کنترل محل رشد مواد تا کنترل مکان و چگونگی شروع تشکیل کریستالها گسترش میدهد.
متن اصلی (انگلیسی)
Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux
Nature, Published online: 07 October 2026; doi:10.1038/s41586-026-11095-1 Etching-flux-mediated single-centred nucleation of two-dimensional semiconductors is used to deterministically localize a single nucleation event, expanding semiconductor deposition from controlling where materials grow to controlling where and how crystals can begin to form.