پرش به محتوای اصلی

هسته‌بندی قطعی فضایی نیمه‌هادی‌های دوبعدی با شار اچینگ

نیچر۱۴۰۵ مهر ۱۵, چهارشنبه، ساعت ۰۳:۳۰حدود 1 دقیقه مطالعه

طبیعت، انتشار آنلاین: 07 اکتبر 2026; doi:10.1038/s41586-026-11095-1 هسته‌سازی تک‌مرکزی با واسطه‌ی شار اچینگ نیمه‌رساناهای دوبعدی برای بومی‌سازی قطعی یک رویداد هسته‌زایی استفاده می‌شود، و رسوب نیمه‌رسانا را از کنترل محل رشد مواد تا کنترل محل و چگونگی تشکیل شدن گسترش می‌دهد.

طبیعت، انتشار آنلاین: 07 اکتبر 2026; doi:10.1038/s41586-026-11095-1 هسته‌سازی تک‌مرکزی با واسطه‌ی حکاکی شار نیمه‌رساناهای دوبعدی برای بومی‌سازی قطعی یک رویداد هسته‌زایی استفاده می‌شود، و رسوب نیمه‌رسانا را از کنترل محل رشد مواد تا کنترل مکان و چگونگی شروع تشکیل کریستال‌ها گسترش می‌دهد.

خواندن متن کامل در نیچربه زبان اصلی، در سایت ناشر باز می‌شود
متن اصلی (انگلیسی)

Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux

Nature, Published online: 07 October 2026; doi:10.1038/s41586-026-11095-1 Etching-flux-mediated single-centred nucleation of two-dimensional semiconductors is used to deterministically localize a single nucleation event, expanding semiconductor deposition from controlling where materials grow to controlling where and how crystals can begin to form.

همه‌ی اخبار فناوری