پرش به محتوای اصلی

گیر کردن جریان برای فعال کردن حافظه در مواد کوانتومی

فیزیک‌ارگ۱۴۰۵ مهر ۲۲, چهارشنبه، ساعت ۱۷:۳۰حدود 1 دقیقه مطالعه

درک و کنترل انتقال فاز برای فیزیک اساسی است و در بسیاری از انقلاب‌های تکنولوژیکی مرکزی است. در حال حاضر علاقه شدیدی به مواد با انتقال فاز ساختاری و الکترونیکی همراه وجود دارد، جایی که کنترل انعطاف پذیری انتقال به طور طبیعی حافظه داخلی را به همراه دارد - یک گام کلیدی در شبیه سازی نورون ها و سیناپس ها برای فناوری های محاسباتی "نورومورفیک" یا مغز مانند.

درک و کنترل انتقال فاز برای فیزیک اساسی است و در بسیاری از انقلاب‌های تکنولوژیکی مرکزی است. در حال حاضر علاقه شدیدی به مواد با انتقال فاز ساختاری و الکترونیکی همراه وجود دارد، جایی که کنترل انعطاف پذیری انتقال به طور طبیعی حافظه داخلی را به همراه دارد - یک گام کلیدی در شبیه سازی نورون ها و سیناپس ها برای فناوری های محاسباتی "نورومورفیک" یا مغز مانند.

خواندن متن کامل در فیزیک‌ارگبه زبان اصلی، در سایت ناشر باز می‌شود
متن اصلی (انگلیسی)

Jamming the flow to enable memory in quantum materials

Understanding and controlling phase transitions are fundamental to physics and central to many technological revolutions. There is currently strong interest in materials with coupled structural and electronic phase transitions, where controlling the transition plasticity naturally yields built-in memory—a key step in emulating neurons and synapses for "neuromorphic" or brain-like computing technologies.

همه‌ی اخبار فناوری