ترانزیستور «Extreme» می‌تواند گرمای 1000+ F را تحمل کند - آن را برای استفاده در کاوشگرهای متصل به زهره آماده می‌کند.

'Extreme' transistor can withstand heat of 1000-plus F — priming it for use in Venus-bound probes

The silicon carbide transistor is designed to avoid low controllability and current leakage, which typically become problems at high temperatures.